Epitaksja

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
Skocz do: nawigacja, szukaj

Epitaksja (gr. epi + taxis = na uporządkowanym) – technika półprzewodnikowa wzrostu nowych warstw monokryształu na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża. Opracował ją w 1957 roku N. N. Sheftal z zespołem. Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od domieszkowania podłoża.

Odmianą epitaksji jest epitaksja z wiązek molekularnych – technika ta pozwala na nanoszenie warstw krystalicznych o grubości pojedynczej warstwy atomowej. Technika ta jest wykorzystywana w produkcji kropek kwantowych oraz tzw. cienkich warstw.

Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używane do rozpraszania mgły i wywoływania opadów.

Rodzaje epitaksji[edytuj | edytuj kod]

  • MBE (Molecular Beam Epitaxy) epitaksja z wiązek molekularnych
  • MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) epitaksja ze związków metaloorganicznych
  • LPE (Liquid Phase Epitaxy) epitaksja z fazy ciekłej
  • VPE (Vapour Phase Epitaxy) epitaksja z fazy gazowej
  • CBE (Chemical Beam Epitaxy) epitaksja z wiązki chemicznej

Zobacz też[edytuj | edytuj kod]