Fosforo-arsenek galu

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
Skocz do: nawigacji, wyszukiwania

GaAsP- fosforo-arsenek galu, materiał półprzewodnikowy, stop arsenku galu i fosforku galu.

GaAsP jest wykorzystywany do produkcji diod elektroluminescencyjnych świecących na żółto, pomarańczowo lub czerwono. Może być domieszkowany azotem (GaAsP:N).

Własności[edytuj | edytuj kod]

Przerwa energetyczna[edytuj | edytuj kod]

Szerokość przerwy energetycznej w temperaturze 0 K dla nienaprężonej warstwy o składzie GaAs(1-x)Px jest równa w eV[1]:

E_g^{\Gamma}=(1-x)\cdot 1,519 +x\cdot 2,886 -x\cdot(1-x)\cdot0,19

Wprowadzenie naprężeń ściskających powoduje zmniejszenie szerokości przerwy energetycznych[2].

Przypisy

  1. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, L. R. Ram-Mohan. Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys. „Journal of Applied Physics”. Vol. 89. 11. s. 5815-5875. 
  2. M.-E. Pistol, M.R. Leys, L. Samuelson. Properties of thin strained Ga(As,P) layers. „Physical Rewiev B”. Vol. 37. 9. s. 4664-4670.