MOCVD

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
Skocz do: nawigacji, wyszukiwania

MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) - technika osadzania warstw na powierzchni materiałów poprzez stosowanie związków metaloorganicznych w formie gazowej. Jest to jedna z technik epitaksjalnych, stąd jej alternatywna nazwa MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy).

Technika ta polega na umieszczaniu odpowiednio przygotowanych materiałów (np: wypolerowanych płytek krzemowych) w specjalnym reaktorze umożliwiającym dokładną kontrolę temperatury i ciśnienia. Do reaktora wprowadza się opary związku metaloorganicznego i inne gazy, które mogą reagować z wyjściowym związkiem (np: amoniak, wodór, fosforowodór), prowadząc zwykle do jego częściowej redukcji lub wypierania ligandów organicznych. Proces osadzania jest efektem zarówno reakcji między gazowymi substratami jak i procesów fizycznych, takich jak piroliza. W rezultacie zazwyczaj otrzymuje się regularne warstwy o własnościach półprzewodnikowych.

Stosowane związki metaloorganiczne to zazwyczaj proste kompleksy alkilowe metali i metaloidów III, IV i V grupy głównej układu okresowego (glin, gal, ind, german, cyna, arsen, antymon, tellur, selen) a także cynku i kadmu. Proces osadzania nie wymaga wysokiej próżni, lecz ciśnień od atmosferycznego do umiarkowanego podciśnienia (do ok 2 kPa), co jest podstawową zaletą tej metody.

Technika ta jest jedną z metod otrzymywania półprzewodnikowych materiałów do produkcji diod laserowych i elektroluminescencyjnych (LED) oraz baterii słonecznych.

Bibliografia[edytuj | edytuj kod]

  • Gerald B. Stringfellow (1999). Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory and Practice (2nd ed.). Academic Press (ISBN 0-12-673842-4).
  • Manijeh Razeghi (1995). The MOCVD Challenge: Volumes 1 and 2. Institute of Physics Publishing (ISBN 0-7503-0309-3).