Multi Level Cell

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
Skocz do: nawigacji, wyszukiwania

Multi Level Cell, MLC (z ang. komórka o wielu poziomach, komórka wielostanowa) – technologia pamięci flash. Cechuje się wieloma stanami napięć w każdej komórce, co umożliwia zapisanie w niej więcej niż jednego bita, w przeciwieństwie do pamięci typu SLC (ang. single-level cell), której komórka może znajdować się tylko w dwóch różnych stanach logicznych przechowując jeden bit informacji.

Większość pamięci MLC jest zaprojektowana do zapisu 2 bitów informacji na każdą komórkę pamięci, co daje 4 możliwe do uzyskania stany logiczne. W czerwcu 2008 roku południowokoreański producent półprzewodnikowych pamięci Hynix zaprezentował pamięci MLC z trzema bitami na komórkę, czyli 8 stanami logicznymi w jednej komórce[1]. W październiku 2009 roku SanDisk rozpoczął produkcję pamięci flash w technologii X4, która pozwala na przechowywanie aż 4 bitów w każdej komórce pamięci[2].

Do projektowania układów pamięci flash, dla których najważniejsza jest pewność zapisu i odczytu, podchodzi się w inny sposób, wręcz przeciwny: wykorzystuje się w nich dwie komórki pamięci do zapisu jednego bitu – dla zminimalizowania prawdopodobieństwa wystąpienia błędu.

Różnice SLC i MLC[edytuj | edytuj kod]

Porównanie
SLC MLC
Gęstość 16Mbit
32Mbit 64Mbit
Prędkość odczytu 100ns
120ns 150ns
Rozmiar bloku 64KB 128KB
Architektura x8 x8/x16
Wytrzymałość 100 000 cykli 10 000 cykli
Tolerancja na
temperaturę
duża mała

Przewagą technologii MLC jest większa gęstość upakowania danych i, co bezpośrednio z tego wynika, niższa cena w stosunku do pojemności. Natomiast wraz ze wzrostem liczby stanów napięć, granice między poszczególnymi stanami się zawężają, co skutkuje zwiększoną podatnością na błędy danych. Aby zredukować tak powstałe przekłamania wymagane jest zastosowanie bardziej złożonego oprogramowania do obsługi zapisu/odczytu.

W roku 2012 firma Samsung w swoich najnowszych napędach SSD serii 840 zaczęła stosować pamięci typu TLC (Triple Level Cell). Jest to trzystanowy MLC, który ma jeszcze większą gęstość upakowania danych niż dwustanowy MLC i umożliwia zapisywanie 3 bitów informacji na każdą komórkę pamięci. Układy tego typu mają 10 krotnie mniejszą liczbę cykli zapisu niż pamięci wykorzystujące dwustanowy MLC i aż 100 krotnie mniejszą niż SLC. Liczba ta jest szacowana na około 500 cykli[3].

Przypisy

Linki zewnętrzne[edytuj | edytuj kod]