Tranzystor ze złączem wyciąganym

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
Skocz do: nawigacji, wyszukiwania

Tranzystor ze złączem wyciąganym (tranzystor wyciągany, tranzystor krystalizowany) to najwcześniejszy rodzaj tranzystora bipolarnego. W 1948 r. pracujący w laboratoriach firmy Bell Telephone Laboratories William Bradford Shockley opracował teoretycznie tranzystor złączowy, który w 1950 wykonano z germanu metodą złącza wyciąganego. Pierwsze tranzystory krzemowe wyprodukował tą metodą Texas Instruments w 1954 roku[1]. Obecnie metoda nie jest stosowana do produkcji tranzystorów, ale wykonuje się za jej pomocą fotoogniwa.

Wytwarzanie złącz pn metodą wyciągania polega na prowadzeniu krystalizacji metodą Czochralskiego ze stopu półprzewodnika zawierającego zarówno domieszki akceptorowe jak i donorowe. Stopień osadzania się poszczególnych domieszek w krysztale zależy od prędkości krystalizacji, można więc regulując dopływ ciepła i prędkość wyciągania kryształu wytworzyć naprzemienne warstwy półprzewodnika typu p i n. Po odpowiednim pocięciu takiego kryształu otrzymujemy gotowe struktury tranzystorów[2].

Metoda była (jak na swoje czasy) trudna i zaawansowana technologicznie, ale umożliwiała masową produkcję. W Polsce ani w innych krajach RWPG nie były produkowane tranzystory ze złączem wyciąganym.

Przypisy

  1. History of semiconductors diffusion engineering, B.Lojek, 10th IEEE International Conference of Advanced Thermal Processing of Semiconductors RTP 2002
  2. Jerzy Klamka, Technologia złącz p-n, Elektronika, 10-11(24-25)/1957