Ultra Durable 3

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
Skocz do: nawigacja, szukaj

Ultra Durable 3 jest trzecią generacją technologii Ultra Durable stosowanej na płytach głównych.

Charakterystyczne cechy płyt głównych z tą technologią to:

  • Większa ilość miedzi w wewnętrznych warstwach płyty głównej;
  • Szybkie tranzystory MOSFET o niskiej rezystancji oraz mniejszych stratach energii;
  • Cewki z rdzeniem ferrytowym
  • Aluminiowo-polimerowe kondensatory charakteryzujące się niskimi stratami energii oraz długim czasem bezawaryjnej pracy

Większa ilość miedzi ułatwia przepływ ładunków elektrycznych zmniejszając ilość wydzielanego ciepła. Miedź jako doskonały przewodnik termiczny umożliwia szybkie rozprowadzanie ciepła na całej powierzchni płyty głównej, co skutkuje obniżeniem temperatury w krytycznych obszarach takich jak układy zasilania procesora oraz szybszym odprowadzaniem nadmiaru ciepła dzięki zwiększeniu powierzchni rozpraszania.

Tranzystory MOSFET w odróżnieniu od zwykłych tranzystorów, charakteryzują się niższą rezystancją oraz mniejszym poborem mocy. Skutkuje to zmniejszeniem czasu ładowania i rozładowywania oraz ograniczeniem ilości generowanego ciepła.

Cewki z rdzeniem ferrytowym odznaczają się niższymi stratami energii w porównaniu z cewkami wyposażonymi w tradycyjne rdzenie metaliczne (np. żelazne), szczególnie w zakresie wysokich częstotliwości natomiast japońskie kondensatory aluminiowo-polimerowe cechują się znacznie dłuższym czasem bezawaryjnej pracy sięgającym średnio 50,000 godzin.