Przejdź do zawartości

Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki
Ilustracja
Oddział Instytutu przy ul Wólczyńskiej w Warszawie
Państwo

 Polska

Województwo

 mazowieckie

Siedziba

Warszawa

Adres

al. Lotników 32/46
02-668 Warszawa

Data założenia

2020

Forma prawna

jednostka badawczo-rozwojowa (instytut badawczy)

Dyrektor

dr inż. Piotr Guzdek

Przewodniczący rady nadzorczej

dr inż. Janusz Noga

Nr KRS

0000865821

Położenie na mapie Warszawy
Mapa konturowa Warszawy, na dole nieco na lewo znajduje się punkt z opisem „Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki”
Położenie na mapie Polski
Mapa konturowa Polski, blisko centrum na prawo znajduje się punkt z opisem „Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki”
Położenie na mapie województwa mazowieckiego
Mapa konturowa województwa mazowieckiego, w centrum znajduje się punkt z opisem „Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki”
Ziemia52°10′36″N 21°00′30″E/52,176667 21,008333
Strona internetowa

Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki – polski instytut badawczo-rozwojowy, należący do Sieci Badawczej Łukasiewicz. Został utworzony 1 października 2020 r. w wyniku konsolidacji Łukasiewicz – Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych (ITME) i Łukasiewicz – Instytutu Technologii Elektronowej (ITE).

Główna siedziba instytutu znajduje się w Warszawie przy al. Lotników 32/46. Instytut posiada też oddziały w Piasecznie i Krakowie.

Opis[edytuj | edytuj kod]

Instytuty: Materiałów Elektronicznych i Technologii Elektronowej mają 50-letnią historię. Instytut prowadzi projekty naukowe i prace B+R w obszarach zaawansowanych materiałów, mikro- i nanoelektroniki oraz fotoniki.

Działalność[edytuj | edytuj kod]

Instytut prowadzi badania naukowe i prace rozwojowe w obszarach: mikro- i nanoelektroniki, optoelektroniki, inżynierii materiałowej, fotoniki (w tym nanofotoniki), elektroniki mikrofalowej, energoelektroniki, elektroniki przeźroczystej i giętkiej. Działalność badawczo-rozwojowa obejmuje również technologie materiałów zaawansowanych (np. grafen, materiały półprzewodnikowe, monokryształy, materiały grubowarstwowe, produkty na bazie szkła i ceramiki, podłoża pod systemy elektroniczne) oraz przyrządy na bazie tych materiałów.

Instytut wdraża i upowszechnia wyniki tych prac w gospodarce we współpracy z instytucjami naukowymi i przedsiębiorcami.

Zakres działania Instytutu obejmuje w szczególności:

  • opracowanie konstrukcji i technologii wytwarzania mikro- i optoelektronicznych przyrządów półprzewodnikowych, w tym: mikrofalowych i oraz fotonicznych przyrządów dyskretnych, detektorów i czujników, układów scalonych, mikro-systemów i podzespołów elektronicznych, mikroelektronicznych układów hybrydowych, przyrządów mocy, elementów dyfrakcyjnych;
  • rozwój metod projektowania mikro- i opto- elektronicznych przyrządów półprzewodnikowych oraz opracowywanie nowych metod charakteryzacji materiałów, struktur i przyrządów półprzewodnikowych;
  • opracowywanie technologii wytwarzania nowych materiałów takich jak węglik krzemu, grafen epitaksjalny i płatkowy, kompozyty ceramiczno-metalowe i zaawansowana ceramika oraz badania ich właściwości pod kątem ich przemysłowego wykorzystania;
  • prowadzenie działalności normalizacyjnej, certyfikacyjnej i aprobacyjnej.

Organizacja prac badawczych Instytutu opiera się o cztery linie technologiczne:

  • linia podzespołów optoelektronicznych,
  • linia podzespołów krzemowych,
  • linia podzespołów półprzewodników szerokoprzerwowych
  • oraz linia dedykowana technologii LTCC.

Instytut jest właścicielem kilkudziesięciu polskich i zagranicznych patentów.

Linki zewnętrzne[edytuj | edytuj kod]