Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
Przejdź do nawigacji Przejdź do wyszukiwania
Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki
Ilustracja
Oddział Instytutu przy ul Wólczyńskiej w Warszawie
Państwo

 Polska

Województwo

 mazowieckie

Siedziba

Warszawa

Adres

al. Lotników 32/46
02-668 Warszawa

Data założenia

2020

Forma prawna

jednostka badawczo-rozwojowa (instytut badawczy)

Dyrektor

dr inż. Bolesław Kołodziejczyk

Nr KRS

0000865821

Położenie na mapie Warszawy
Mapa konturowa Warszawy, na dole nieco na lewo znajduje się punkt z opisem „Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki”
Położenie na mapie Polski
Mapa konturowa Polski, blisko centrum na prawo znajduje się punkt z opisem „Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki”
Położenie na mapie województwa mazowieckiego
Mapa konturowa województwa mazowieckiego, w centrum znajduje się punkt z opisem „Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki”
Ziemia52°10′36″N 21°00′30″E/52,176667 21,008333
Strona internetowa

Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki - polski instytut badawczo-rozwojowy, należący do Sieci Badawczej Łukasiewicz, powstały 1 października 2020 r. w wyniku konsolidacji Łukasiewicz – Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych (ITME) i Łukasiewicz – Instytutu Technologii Elektronowej (ITE). Główna siedziba instytutu znajduje się w Warszawie przy al. Lotników 32/46. Instytut posiada też oddziały w Piasecznie i Krakowie.

Opis[edytuj | edytuj kod]

Instytuty: Materiałów Elektronicznych i Technologii Elektronowej mają 50-letnią historię. Instytut prowadzi projekty naukowe i prace B+R w obszarach zaawansowanych materiałów, mikro- i nanoelektroniki oraz fotoniki.

Działalność[edytuj | edytuj kod]

Instytut prowadzi badania naukowe i prace rozwojowe w obszarach: mikro- nanoelektroniki, optoelektroniki, inżynierii materiałowej, fotoniki (w tym nanofotoniki), elektroniki mikrofalowej, energoelektroniki, elektroniki przeźroczystej i giętkiej. Działalność badawczo-rozwojowa obejmuje również technologie materiałów zaawansowanych (np. grafen, materiały półprzewodnikowe, monokryształy, materiały grubowarstwowe, produkty na bazie szkła i ceramiki, podłoża pod systemy elektroniczne) oraz przyrządy na bazie tych materiałów.

Instytut wdraża i upowszechnia wyniki tych prac w gospodarce we współpracy z instytucjami naukowymi i przedsiębiorcami.

Zakres działania Instytutu obejmuje w szczególności:

  • opracowanie konstrukcji i technologii wytwarzania mikro- i optoelektronicznych przyrządów półprzewodnikowych, w tym: mikrofalowych i oraz fotonicznych przyrządów dyskretnych, detektorów i czujników, układów scalonych, mikro-systemów i podzespołów elektronicznych, mikroelektronicznych układów hybrydowych, przyrządów mocy, elementów dyfrakcyjnych;
  • rozwój metod projektowania mikro- i opto- elektronicznych przyrządów półprzewodnikowych oraz opracowywanie nowych metod charakteryzacji materiałów, struktur i przyrządów półprzewodnikowych;
  • opracowywanie technologii wytwarzania nowych materiałów takich jak węglik krzemu, grafen epitaksjalny i płatkowy, kompozyty ceramiczno-metalowe i zaawansowana ceramika oraz badania ich właściwości pod kątem ich przemysłowego wykorzystania;
  • prowadzenie działalności normalizacyjnej, certyfikacyjnej i aprobacyjnej.

Organizacja prac badawczych Instytutu opiera się o cztery linie technologiczne:

  • linia podzespołów optoelektronicznych,
  • linia podzespołów krzemowych,
  • linia podzespołów półprzewodników szerokoprzerwowych
  • oraz linia dedykowana technologii LTCC.

Instytut jest właścicielem kilkudziesięciu polskich i zagranicznych patentów.

Przypisy[edytuj | edytuj kod]

Linki zewnętrzne[edytuj | edytuj kod]