Arsenek galu

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
Przejdź do nawigacji Przejdź do wyszukiwania
Arsenek galu
Komórka elementarna Próbki kryształów
Ogólne informacje
Wzór sumaryczny

GaAs

Masa molowa

144,64 g/mol

Wygląd

szare regularne kryształy[1]

Identyfikacja
Numer CAS

1303-00-0

PubChem

14770

Jeżeli nie podano inaczej, dane dotyczą
stanu standardowego (25 °C, 1000 hPa)

Arsenek galu, GaAs – nieorganiczny związek chemiczny galu i arsenu.

Związek ten jest otrzymywany syntetycznie na potrzeby m.in. przemysłu elektronicznego ze względu na swoje właściwości półprzewodnikowe. Drugi obecnie po krzemie (Si) materiał najczęściej wykorzystywany w mikro- i optoelektronice oraz technice mikrofalowej.

Arsenek galu wykazuje większą od krzemu odporność na działanie promieniowania elektromagnetycznego. Urządzenia elektroniczne oparte na GaAs mogą pracować z częstotliwościami przekraczającymi 250 GHz. Parametr półprzewodnictwa – przerwa energetyczna (w temperaturze 300 K) Według = 1,424 eV.

Zastosowanie[edytuj | edytuj kod]

Arsenek galu stosuje się m.in. w produkcji:

Przypisy[edytuj | edytuj kod]

  1. a b c David R. Lide (red.), CRC Handbook of Chemistry and Physics, wyd. 90, Boca Raton: CRC Press, 2009, s. 4-64, ISBN 978-1-4200-9084-0 (ang.).
  2. Gallium arsenide, [w:] PubChem [online], United States National Library of Medicine, CID: 14770 [dostęp 2022-02-06] (ang.).
  3. a b Arsenek galu, karta charakterystyki produktu Sigma-Aldrich, Merck KGaA, 8 września 2021, numer katalogowy: 329010 [dostęp 2022-02-06]. (przeczytaj, jeśli nie wyświetla się prawidłowa wersja karty charakterystyki)
  4. Arsenek galu, karta charakterystyki produktu Sigma-Aldrich, Merck KGaA, numer katalogowy: 329010 [dostęp 2012-01-26] (ang.). (przeczytaj, jeśli nie wyświetla się prawidłowa wersja karty charakterystyki)