Kolosalny magnetoopór
Kolosalna magnetorezystancja (ang. Colossal magnetoresistance, CMR) – jest właściwością niektórych materiałów, głównie perowskitów zawierających mangan, która umożliwia im radykalną zmianę rezystancji elektrycznej w obecności pola magnetycznego. Magnetorezystancja konwencjonalnych materiałów umożliwia zmiany rezystancji nawet o 5%, ale materiały z CMR mogą wykazywać zmiany rezystancji o rzędy wielkości[1][2].
Ta technologia może potencjalnie znaleźć zastosowanie w głowicach do odczytu i zapisu na dysku twardym, pozwalając na zwiększenie gęstości danych. Jednak do tej pory nie udało się jej zastosować w praktyce, ponieważ technologia ta wymaga niskich temperatur i dużego sprzętu[3][4].
Przypisy[edytuj | edytuj kod]
- ↑ Ramirez, A. P. (1997). „Colossal magnetoresistance”. Journal of Physics: Condensed Matter. 9 (39): 8171–8199. https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/1997JPCM....9.8171R/abstract.
- ↑ Rodriguez-Martinez, L.; Attfield, J.P. (1996). „Cation disorder and size effects in magnetoresistive manganese oxide perovskites”. Physical Review B. 54 (22): R15622–R15625. https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/1996PhRvB..5415622R/abstract.
- ↑ https://www.abdn.ac.uk/news/5726/ The University of Aberdeen News. 27 stycznia 2014.
- ↑ Dagotto, Elbio (14 marca 2013). „Brief Introduction to Giant Magnetoresistance (GMR)”. Nanoscale Phase Separation and Colossal Magnetoresistance: The Physics of Manganites and Related Compounds. Springer Series in Solid-State Sciences. 136. Springer Science & Business Media. pp. 395–396. https://link.springer.com/chapter/10.1007%2F978-3-662-05244-0_21.