Model EKV tranzystora MOSFET

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
Skocz do: nawigacji, wyszukiwania

Model EKV tranzystora MOS – jeden z obliczeniowych modeli przyrządów półprzewodnikowych MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) opracowywanych dla potrzeb symulacji układów elektronicznych oraz projektowania analogowych i analogowo-cyfrowych układów scalonych.

Został opracowany przez zespół w składzie: Christian Enz, François Krummenacher i Eric Vittoz (nazwa modelu EKV pochodzi od inicjałów autorów) w latach 80.[1] i zaprezentowany w roku 1995[2]. Jest jednym z najdokładniejszych modeli typu "compact" współczesnych tranzystorów MOS. W przeciwieństwie do prostszych modeli, takich jak model o parabolicznej charakterystyce I(V) (Schichmana-Hodgesa), model EKV dokładnie odwzorowuje charakterystyki elektryczne tranzystora MOS we wszystkich zakresach pracy, w tym także w zakresie słabej inwersji, tj. podprogowym (Vgate-source < VThreshold). Do "gładkiego" sklejenia charakterystyk elektrycznych w zakresach słabej i silnej inwersji wykorzystano metodę przedstawioną w pracach Modele du transistor MOS valable dans un grand domaine de courants[3] i MOS modelling at low current density[4]. Model EKV charakteryzuje się także stosunkowo niewielką liczbą parametrów. Ponadto uwzględnia on szereg zjawisk fizycznych i efektów istotnych dla projektowania współczesnych układów scalonych CMOS.

Przypisy

  1. C.C. Enz, F. Krummenacher, E.A Vittoz. A CMOS Chopper Amplifier. „IEEE Journal of Solid-State Circuits”. 22(3), s. s.335-342, June 1987. 
  2. C.C. Enz, F. Krummenacher, E.A Vittoz. An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications. „Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design”. 8, s. 83-114, July 1995. 
  3. H.J. Oguey, S Cserveny. Modele du transistor MOS valable dans un grand domaine de courants. „Bull. SEW VSE”, Feb 1982. 
  4. H.J. Oguey, S Cserveny. MOS modelling at low current density. „Summer Course on "Process and Device Modelling", ESAT Leuven-Heverlee, Belgium”, June 1983. 

Zobacz też[edytuj | edytuj kod]

Linki zewnętrzne[edytuj | edytuj kod]