Epitaksja: Różnice pomiędzy wersjami
[wersja nieprzejrzana] | [wersja nieprzejrzana] |
mNie podano opisu zmian |
m bot dodaje: no:Epitaksi |
||
Linia 13: | Linia 13: | ||
[[Kategoria:Materiałoznawstwo]] |
[[Kategoria:Materiałoznawstwo]] |
||
[[de:Epitaxie]] |
[[de:Epitaxie]] |
||
⚫ | |||
[[en:Epitaxy]] |
[[en:Epitaxy]] |
||
⚫ | |||
[[no:Epitaksi]] |
|||
[[ru:Эпитаксия]] |
[[ru:Эпитаксия]] |
Wersja z 18:24, 12 paź 2006
Epitaksja (gr. epi + taxia = położony na) – technika półprzewodnikowa wzrostu nowych warstw monokryształu na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża. Opracował ją w 1957 roku N. N. Sheftal z zespołem. Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od domieszkowania podłoża.
Odmianą epitaksji jest epitaksja z wiązki molekularnej - technika ta pozwala na nanoszenie warstw krystalicznych o grubości pojedynczej warstwy atomowej. Technika ta jest wykorzystywana w produkcji kropek kwantowych oraz tzw. cienkich warstw.
Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używane do rozpraszania mgły i wywoływania opadów.