Epitaksja: Różnice pomiędzy wersjami

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
[wersja nieprzejrzana][wersja nieprzejrzana]
Usunięta treść Dodana treść
mNie podano opisu zmian
Tsca.bot (dyskusja | edycje)
m bot dodaje: no:Epitaksi
Linia 13: Linia 13:


[[Kategoria:Materiałoznawstwo]]
[[Kategoria:Materiałoznawstwo]]



[[de:Epitaxie]]
[[de:Epitaxie]]
[[ja:エピタキシャル成長]]
[[en:Epitaxy]]
[[en:Epitaxy]]
[[ja:エピタキシャル成長]]
[[no:Epitaksi]]
[[ru:Эпитаксия]]
[[ru:Эпитаксия]]

Wersja z 18:24, 12 paź 2006

Epitaksja (gr. epi + taxia = położony na) – technika półprzewodnikowa wzrostu nowych warstw monokryształu na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża. Opracował ją w 1957 roku N. N. Sheftal z zespołem. Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od domieszkowania podłoża.

Odmianą epitaksji jest epitaksja z wiązki molekularnej - technika ta pozwala na nanoszenie warstw krystalicznych o grubości pojedynczej warstwy atomowej. Technika ta jest wykorzystywana w produkcji kropek kwantowych oraz tzw. cienkich warstw.

Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używane do rozpraszania mgły i wywoływania opadów.

Zobacz też