Epitaksja: Różnice pomiędzy wersjami
| [wersja przejrzana] | [wersja przejrzana] |
Usunięta treść Dodana treść
wstawienie {{Kontrola autorytatywna}} |
przypis EPWN |
||
| Linia 4: | Linia 4: | ||
Odmianą tej technologii jest epitaksja z wiązek molekularnych, która umożliwia nanoszenie warstw krystalicznych o grubości jednego atomu i stosowana jest w produkcji [[kropka kwantowa|kropek kwantowych]] oraz tak zwanych cienkich warstw. |
Odmianą tej technologii jest epitaksja z wiązek molekularnych, która umożliwia nanoszenie warstw krystalicznych o grubości jednego atomu i stosowana jest w produkcji [[kropka kwantowa|kropek kwantowych]] oraz tak zwanych cienkich warstw. |
||
Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest wykorzystywane do rozpraszania mgły i wywoływania opadów. |
Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest wykorzystywane do rozpraszania mgły i wywoływania opadów<ref>{{Encyklopedia PWN | tytuł = Epitaksja | id = 3898314 | data dostępu = 2021-07-22 }}</ref>. |
||
== Rodzaje epitaksji == |
== Rodzaje epitaksji == |
||
| Linia 13: | Linia 13: | ||
* [[CBE (epitaksja)|CBE]] (''chemical-beam epitaxy'') – epitaksja z wiązki chemicznej |
* [[CBE (epitaksja)|CBE]] (''chemical-beam epitaxy'') – epitaksja z wiązki chemicznej |
||
== |
== Przypisy == |
||
{{Przypisy}} |
|||
* {{Encyklopedia PWN | tytuł = Epitaksja | id = 3898314 | data dostępu = 2021-07-22 }} |
|||
{{Kontrola autorytatywna}} |
{{Kontrola autorytatywna}} |
||
Aktualna wersja na dzień 21:04, 13 wrz 2021
 |
Ten artykuł od 2019-01 wymaga zweryfikowania podanych informacji. |
Epitaksja (gr. epi + taxis = na uporządkowanym) – technika półprzewodnikowa nakładania nowych warstw monokryształu na istniejące podłoże krystaliczne, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża. Opracował ją w 1957 roku N.N. Sheftal z zespołem. Pozwala ona kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej (zarówno typu p, jak i n) i jest to niezależne od domieszkowania podłoża.
Odmianą tej technologii jest epitaksja z wiązek molekularnych, która umożliwia nanoszenie warstw krystalicznych o grubości jednego atomu i stosowana jest w produkcji kropek kwantowych oraz tak zwanych cienkich warstw.
Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest wykorzystywane do rozpraszania mgły i wywoływania opadów[1].
Rodzaje epitaksji[edytuj | edytuj kod]
- MBE (molecular beam epitaxy) – epitaksja z wiązek molekularnych
- MOVPE (metalorganic vapour-phase epitaxy) – epitaksja z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych
- LPE (liquid‐phase epitaxy) – epitaksja z fazy ciekłej
- VPE (vapour-phase epitaxy) – epitaksja z fazy gazowej
- CBE (chemical-beam epitaxy) – epitaksja z wiązki chemicznej
Przypisy[edytuj | edytuj kod]
- ↑ Epitaksja, [w:] Encyklopedia PWN [dostęp 2021-07-22].