Epitaksja: Różnice pomiędzy wersjami
| [wersja nieprzejrzana] | [wersja nieprzejrzana] |
m robot dodaje: es:Crecimiento epitaxial |
m korekta greckiego źródłosłowu, nie ma w gr. słowa taxia, jest taxis:uporządkowanie, regularność, wzór |
||
| Linia 1: | Linia 1: | ||
'''Epitaksja''' (gr. ''epi'' + '' |
'''Epitaksja''' (gr. ''epi'' + ''taxis'' = na uporządkowanym) – technika [[półprzewodnik]]owa wzrostu nowych warstw [[monokryształ]]u na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej [[sieć krystaliczna|sieci krystalicznej]] podłoża. |
||
Opracował ją w [[1957]] roku N. N. Sheftal z zespołem. |
Opracował ją w [[1957]] roku N. N. Sheftal z zespołem. |
||
Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od [[domieszkowanie|domieszkowania]] podłoża. |
Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od [[domieszkowanie|domieszkowania]] podłoża. |
||
Wersja z 17:30, 28 maj 2007
Epitaksja (gr. epi + taxis = na uporządkowanym) – technika półprzewodnikowa wzrostu nowych warstw monokryształu na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża. Opracował ją w 1957 roku N. N. Sheftal z zespołem. Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od domieszkowania podłoża.
Odmianą epitaksji jest epitaksja z wiązki molekularnej - technika ta pozwala na nanoszenie warstw krystalicznych o grubości pojedynczej warstwy atomowej. Technika ta jest wykorzystywana w produkcji kropek kwantowych oraz tzw. cienkich warstw.
Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używane do rozpraszania mgły i wywoływania opadów.