Nadzwyczajna magnetorezystancja
Nadzwyczajna magnetorezystancja (ang. extraordinary magnetoresistance, EMR) – efekt zmiany rezystancji elektrycznej pod wpływem pola magnetycznego (magnetoopór) wynikający z geometrii układu przewodzącego prąd. Zmiana rezystancji w temperaturze pokojowej może być większa niż 10 000, są to wartości dużo większe niż te, które mają miejsce przy efektach takich jak gigantyczny magnetoopór czy kolosalna magnetorezystancja[1]. Efekt ma miejsce przy zastosowaniu systemów hybrydowych metali i półprzewodników. Bez pola magnetycznego układ ma małą rezystancję, wynikającą z tego większość prądu elektrycznego przepływa przez metal. W silnym polu magnetycznym przyłożonym poprzecznie do kierunku przepływu prądu, układ przechodzi w stan o dużo większej rezystancji elektrycznej. Powodem tego jest zjawisko Halla, gdy kąt Halla zbliża się do 90°, przepływ prądu elektrycznego w regionach metalicznych drastycznie maleje. Na efekt w dużym stopniu wpływa geometria systemu, potęgując efekt o nawet cztery rzędy wielkości[2]. Jako że efekt EMR ma miejsce w temperaturze pokojowej i nie polega na materiałach magnetycznych ma wiele korzyści w aspekcie jego aplikacji, wliczając w to głowice odczytu dysków twardych[3].
Efekt został odkryty w 2000 roku[1].
Przypisy[edytuj | edytuj kod]
- ↑ a b Solin, S. A.; Thio, Tineke; Hines, D. R.; Heremans, J. J. (September 2000), „Enhanced Room-Temperature Geometric Magnetoresistance In Inhomogeneous Narrow-Gap Semiconductors” (PDF), Science, 289 (5484): 1530–2, http://www.ruf.rice.edu/~rau/phys600/ERM21.pdf.
- ↑ T. H. Hewett and F. V. Kusmartsev, Geometrically enhanced extraordinary magnetoresistance in semiconductor–metal hybrids, Physical Review B, 82, 212404, (2010).
- ↑ S. A. Solin, Magnetic Field Nanosensors, Scientific American, 291, 45 (July 2004).