Pamięć zmiennofazowa

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
(Przekierowano z PRAM)
Skocz do: nawigacja, szukaj

Pamięć zmiennofazowa, PCM (od ang. phase-change memory), PRAM[a], PCRAM (od ang. phase-change RAM) – typ pamięci nieulotnej opartej na nośniku krystalicznym (tzw. owoniku).

Wykorzystano w niej zjawisko zmiany fazy punktów nośnika z krystalicznej na amorficzną (i odwrotnie) za pomocą podgrzewania impulsami elektrycznymi. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji nośnika (jest ona inna dla różnych faz). Nośnikiem jest stop tellurku antymonu i tellurku galu, podobny do stosowanego w płytach CD-RW.

Zalety:

  • możliwość zapisu w jednej komórce więcej niż jednego bitu informacji
  • stosunkowo duża szybkość zapisu i odczytu – około 300 ns
  • stosunkowo duża trwałość – 1012 cykli
  • długi czas przechowywania informacji
  • stosunkowo prosta produkcja przy zastosowaniu istniejącego sprzętu
  • bezpośrednia zamienność z pamięciami flash

Wady:

  • na obecnym etapie wysoki koszt produkcji
  • wysokie temperatury występujące podczas zapisu mogą pogorszyć niezawodność w rzeczywistych układach
  • ciągle zbyt mała prędkość zapisu i trwałość do zastosowań w miejsce obecnych pamięci RAM

Autorem koncepcji i prototypów pamięci zmiennofazowej jest firma Ovonyx, stąd nazywana ona była ovonic unified memory (OUM). Obecnie rozwojem tego rodzaju pamięci zajmuje się firma Intel.

Uwagi

  1. Jest to także skrótowiec od parameter RAM (parametryczna pamięć o dostępie swobodnym).