Przejdź do zawartości

BC-MOS

Dodaj linki
Z Wikipedii, wolnej encyklopedii

BC-MOS (Buried Channel Metal Oxide Semiconductor) – typ tranzystora MOS. Jest to tranzystor polowy z kanałem zagrzebanym, gdzie pod warstwą izolatora (bramką) znajduje się zaimplantowany kanał. Kanał tranzystora BC-MOS może znajdować się w jednym ze stanów:

  • w zakresie NIENASYCENIA:
    • zubożenie przy powierzchni
    • akumulacja przy powierzchni
    • częściowe zubożenie/częściowa akumulacja przy powierzchni
  • w zakresie NASYCENIA:
    • zubożenie przy powierzchni
    • częściowe zubożenie/częściowa akumulacja przy powierzchni.
Źródło: „https://pl.wikipedia.org/w/index.php?title=BC-MOS&oldid=42814013”