Napylanie w polu magnetycznym

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii

Napylanie w polu magnetycznym – metoda fizycznego osadzania warstw z fazy gazowej (PVD, z ang. physical vapour deposition). Proces polega na nanoszeniu na modyfikowanej powierzchni nośnika filmu zbudowanego z rozpylonych w polu magnetycznym jonów pochodzących z powierzchni materiału źródła.

Mechanizm[edytuj | edytuj kod]

Napylanie w polu magnetycznym

W procesie wykorzystuje się oddziaływanie naładowanych cząstek (jonów oraz elektronów) z polem magnetycznym. Strumień jonów generowany jest w wyniku bombardowania powierzchni źródła cząstkami zjonizowanego gazu (najczęściej argonu) powstałego w wyniku przyłożenia napięcia pomiędzy powierzchnie nośnika i źródła.

Zastosowanie[edytuj | edytuj kod]

Metoda osadzania warstw w polu magnetycznym stosowana jest głównie w przemyśle materiałów półprzewodnikowych, gdzie wykorzystuje się ją do produkcji cienkich filmów o ściśle kontrolowanym poziomie domieszkowania. Przemysł optyczny wykorzystuje osadzane cienkie filmy jako powłoki antyrefleksyjne charakteryzujące się znaczną twardością.

Wpływ pola magnetycznego na ruch cząstek naładowanych w próżni

Odmiany metod napylania w polu magnetycznym[edytuj | edytuj kod]

  • Napylanie za pomocą wiązki jonów (ang. ion-beam sputtering)
  • Napylanie reaktywne (ang. reactive sputtering)
  • Osadzanie jonowe (ang. ion-assisted deposition)
  • Wysoko wydajne napylanie plazmowe (ang. high-target-utilization sputtering)
  • Napylanie w strumieniu gazu (ang. gas flow sputtering)
Działo magnetronowe z materiałem źródłowym

Zobacz też[edytuj | edytuj kod]