Epitaksja

Epitaksja (gr. epi + taxis = na uporządkowanym) – technika półprzewodnikowa wzrostu nowych warstw monokryształu na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża. Opracował ją w 1957 roku N. N. Sheftal z zespołem. Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od domieszkowania podłoża.

Odmianą epitaksji jest epitaksja z wiązek molekularnych - technika ta pozwala na nanoszenie warstw krystalicznych o grubości pojedynczej warstwy atomowej. Technika ta jest wykorzystywana w produkcji kropek kwantowych oraz tzw. cienkich warstw.

Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używane do rozpraszania mgły i wywoływania opadów.

Rodzaje epitaksji

• MBE (Molecular Beam Epitaxy) epitaksja z wiązek molekularnych
• MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) epitaksja ze związków metaloorganicznych]]
• LPE (Liquid Phase Epitaxy) epitaksja z fazy ciekłej]]
• VPE (Vapour Phase Epitaxy) epitaksja z fazy gazowej]]
• CBE (Chemical Beam Epitaxy) epitaksja z wiązki chemicznej]]

Zobacz też

• Jan Czochralski
• metoda Czochralskiego
• półprzewodnik