Epitaksja: Różnice pomiędzy wersjami
| [wersja przejrzana] | [wersja przejrzana] |
m robot dodaje: ar:تنضيد |
m robot dodaje: ar:تنضيد; zmiany kosmetyczne |
||
| Linia 1: | Linia 1: | ||
'''Epitaksja''' (gr. ''epi'' + ''taxis'' = |
'''Epitaksja''' (gr. ''epi'' + ''taxis'' = na uporządkowanym) – technika [[półprzewodnik]]owa wzrostu nowych warstw [[monokryształ]]u na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej [[sieć krystaliczna|sieci krystalicznej]] podłoża. |
||
Opracował ją w [[1957]] roku N. N. Sheftal z zespołem. |
Opracował ją w [[1957]] roku N. N. Sheftal z zespołem. |
||
Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od [[domieszkowanie|domieszkowania]] podłoża. |
Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od [[domieszkowanie|domieszkowania]] podłoża. |
||
| Linia 7: | Linia 7: | ||
Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używane do rozpraszania [[mgła|mgły]] i wywoływania [[opad]]ów. |
Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używane do rozpraszania [[mgła|mgły]] i wywoływania [[opad]]ów. |
||
==Rodzaje epitaksji== |
== Rodzaje epitaksji == |
||
*[[MBE]] (''Molecular Beam Epitaxy'') epitaksja z wiązek molekularnych |
*[[MBE]] (''Molecular Beam Epitaxy'') epitaksja z wiązek molekularnych |
||
| Linia 15: | Linia 15: | ||
*[[CBE (epitaksja)|CBE]] (''Chemical Beam Epitaxy'') epitaksja z wiązki chemicznej |
*[[CBE (epitaksja)|CBE]] (''Chemical Beam Epitaxy'') epitaksja z wiązki chemicznej |
||
===Zobacz też=== |
=== Zobacz też === |
||
*[[Jan Czochralski]] |
*[[Jan Czochralski]] |
||
*[[metoda Czochralskiego]] |
*[[metoda Czochralskiego]] |
||
Wersja z 00:56, 28 maj 2009
Epitaksja (gr. epi + taxis = na uporządkowanym) – technika półprzewodnikowa wzrostu nowych warstw monokryształu na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża. Opracował ją w 1957 roku N. N. Sheftal z zespołem. Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od domieszkowania podłoża.
Odmianą epitaksji jest epitaksja z wiązek molekularnych - technika ta pozwala na nanoszenie warstw krystalicznych o grubości pojedynczej warstwy atomowej. Technika ta jest wykorzystywana w produkcji kropek kwantowych oraz tzw. cienkich warstw.
Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używane do rozpraszania mgły i wywoływania opadów.
Rodzaje epitaksji
- MBE (Molecular Beam Epitaxy) epitaksja z wiązek molekularnych
- MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) epitaksja ze związków metaloorganicznych
- LPE (Liquid Phase Epitaxy) epitaksja z fazy ciekłej
- VPE (Vapour Phase Epitaxy) epitaksja z fazy gazowej
- CBE (Chemical Beam Epitaxy) epitaksja z wiązki chemicznej