Epitaksja: Różnice pomiędzy wersjami
[wersja przejrzana] | [wersja przejrzana] |
Luckas-bot (dyskusja | edycje) m robot dodaje: pt:Epitaxia |
→Rodzaje epitaksji: poprawa linków |
||
Linia 9: | Linia 9: | ||
== Rodzaje epitaksji == |
== Rodzaje epitaksji == |
||
* [[MBE]] (''Molecular Beam Epitaxy'') epitaksja z wiązek molekularnych |
* [[Epitaksja z wiązek molekularnych|MBE]] (''Molecular Beam Epitaxy'') epitaksja z wiązek molekularnych |
||
* [[MOCVD]] (''Metal-Organic Chemical Vapour Deposition'') epitaksja ze związków metaloorganicznych |
* [[MOCVD]] (''Metal-Organic Chemical Vapour Deposition'') epitaksja ze związków metaloorganicznych |
||
* [[LPE]] (''Liquid Phase Epitaxy'') epitaksja z fazy ciekłej |
* [[LPE]] (''Liquid Phase Epitaxy'') epitaksja z fazy ciekłej |
Wersja z 12:56, 19 cze 2010
Epitaksja (gr. epi + taxis = na uporządkowanym) – technika półprzewodnikowa wzrostu nowych warstw monokryształu na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża. Opracował ją w 1957 roku N. N. Sheftal z zespołem. Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od domieszkowania podłoża.
Odmianą epitaksji jest epitaksja z wiązek molekularnych - technika ta pozwala na nanoszenie warstw krystalicznych o grubości pojedynczej warstwy atomowej. Technika ta jest wykorzystywana w produkcji kropek kwantowych oraz tzw. cienkich warstw.
Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używane do rozpraszania mgły i wywoływania opadów.
Rodzaje epitaksji
- MBE (Molecular Beam Epitaxy) epitaksja z wiązek molekularnych
- MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) epitaksja ze związków metaloorganicznych
- LPE (Liquid Phase Epitaxy) epitaksja z fazy ciekłej
- VPE (Vapour Phase Epitaxy) epitaksja z fazy gazowej
- CBE (Chemical Beam Epitaxy) epitaksja z wiązki chemicznej