Epitaksja: Różnice pomiędzy wersjami
[wersja przejrzana] | [wersja przejrzana] |
Luckas-bot (dyskusja | edycje) m robot dodaje: uk:Епітаксія (технологія) |
Luckas-bot (dyskusja | edycje) m [r2.5.2] robot dodaje: nl:Epitaxie |
||
Linia 31: | Linia 31: | ||
[[fr:Épitaxie]] |
[[fr:Épitaxie]] |
||
[[it:Epitassia]] |
[[it:Epitassia]] |
||
[[nl:Epitaxie]] |
|||
[[ja:エピタキシャル成長]] |
[[ja:エピタキシャル成長]] |
||
[[no:Epitaksi]] |
[[no:Epitaksi]] |
Wersja z 16:22, 24 lis 2010
Epitaksja (gr. epi + taxis = na uporządkowanym) – technika półprzewodnikowa wzrostu nowych warstw monokryształu na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża. Opracował ją w 1957 roku N. N. Sheftal z zespołem. Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od domieszkowania podłoża.
Odmianą epitaksji jest epitaksja z wiązek molekularnych - technika ta pozwala na nanoszenie warstw krystalicznych o grubości pojedynczej warstwy atomowej. Technika ta jest wykorzystywana w produkcji kropek kwantowych oraz tzw. cienkich warstw.
Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używane do rozpraszania mgły i wywoływania opadów.
Rodzaje epitaksji
- MBE (Molecular Beam Epitaxy) epitaksja z wiązek molekularnych
- MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) epitaksja ze związków metaloorganicznych
- LPE (Liquid Phase Epitaxy) epitaksja z fazy ciekłej
- VPE (Vapour Phase Epitaxy) epitaksja z fazy gazowej
- CBE (Chemical Beam Epitaxy) epitaksja z wiązki chemicznej