Epitaksja: Różnice pomiędzy wersjami
[wersja przejrzana] | [wersja przejrzana] |
Luckas-bot (dyskusja | edycje) m r2.7.1) (robot dodaje: ca:Epitàxia |
m r2.7.1) (robot dodaje: zh:磊晶 |
||
Linia 38: | Linia 38: | ||
[[ru:Эпитаксия]] |
[[ru:Эпитаксия]] |
||
[[uk:Епітаксія (технологія)]] |
[[uk:Епітаксія (технологія)]] |
||
[[zh:磊晶]] |
Wersja z 10:48, 6 kwi 2011
Epitaksja (gr. epi + taxis = na uporządkowanym) – technika półprzewodnikowa wzrostu nowych warstw monokryształu na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża. Opracował ją w 1957 roku N. N. Sheftal z zespołem. Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od domieszkowania podłoża.
Odmianą epitaksji jest epitaksja z wiązek molekularnych - technika ta pozwala na nanoszenie warstw krystalicznych o grubości pojedynczej warstwy atomowej. Technika ta jest wykorzystywana w produkcji kropek kwantowych oraz tzw. cienkich warstw.
Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używane do rozpraszania mgły i wywoływania opadów.
Rodzaje epitaksji
- MBE (Molecular Beam Epitaxy) epitaksja z wiązek molekularnych
- MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) epitaksja ze związków metaloorganicznych
- LPE (Liquid Phase Epitaxy) epitaksja z fazy ciekłej
- VPE (Vapour Phase Epitaxy) epitaksja z fazy gazowej
- CBE (Chemical Beam Epitaxy) epitaksja z wiązki chemicznej