Epitaksja: Różnice pomiędzy wersjami

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
[wersja nieprzejrzana][wersja nieprzejrzana]
Usunięta treść Dodana treść
DodekBot (dyskusja | edycje)
m robot dodaje: fr:Épitaxie
DodekBot (dyskusja | edycje)
m robot dodaje: es:Crecimiento epitaxial
Linia 16: Linia 16:
[[de:Epitaxie]]
[[de:Epitaxie]]
[[en:Epitaxy]]
[[en:Epitaxy]]
[[es:Crecimiento epitaxial]]
[[fr:Épitaxie]]
[[fr:Épitaxie]]
[[ja:エピタキシャル成長]]
[[ja:エピタキシャル成長]]

Wersja z 06:47, 3 lut 2007

Epitaksja (gr. epi + taxia = położony na) – technika półprzewodnikowa wzrostu nowych warstw monokryształu na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża. Opracował ją w 1957 roku N. N. Sheftal z zespołem. Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od domieszkowania podłoża.

Odmianą epitaksji jest epitaksja z wiązki molekularnej - technika ta pozwala na nanoszenie warstw krystalicznych o grubości pojedynczej warstwy atomowej. Technika ta jest wykorzystywana w produkcji kropek kwantowych oraz tzw. cienkich warstw.

Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używane do rozpraszania mgły i wywoływania opadów.

Zobacz też