Epitaksja: Różnice pomiędzy wersjami
[wersja nieprzejrzana] | [wersja nieprzejrzana] |
m robot dodaje: fr:Épitaxie |
m robot dodaje: es:Crecimiento epitaxial |
||
Linia 16: | Linia 16: | ||
[[de:Epitaxie]] |
[[de:Epitaxie]] |
||
[[en:Epitaxy]] |
[[en:Epitaxy]] |
||
[[es:Crecimiento epitaxial]] |
|||
[[fr:Épitaxie]] |
[[fr:Épitaxie]] |
||
[[ja:エピタキシャル成長]] |
[[ja:エピタキシャル成長]] |
Wersja z 06:47, 3 lut 2007
Epitaksja (gr. epi + taxia = położony na) – technika półprzewodnikowa wzrostu nowych warstw monokryształu na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża. Opracował ją w 1957 roku N. N. Sheftal z zespołem. Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od domieszkowania podłoża.
Odmianą epitaksji jest epitaksja z wiązki molekularnej - technika ta pozwala na nanoszenie warstw krystalicznych o grubości pojedynczej warstwy atomowej. Technika ta jest wykorzystywana w produkcji kropek kwantowych oraz tzw. cienkich warstw.
Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używane do rozpraszania mgły i wywoływania opadów.