PRAM

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
Skocz do: nawigacji, wyszukiwania

PRAM (PCRAMPhase Change RAM) – typ pamięci nieulotnej opartej na nośniku krystalicznym. Wykorzystano zjawisko zmiany fazy punktów nośnika z krystalicznej na amorficzną (i odwrotnie) za pomocą podgrzewania impulsami elektrycznymi. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji nośnika (różna dla różnych faz). Nośnikiem jest stop tellurku antymonu i tellurku galu, podobny do stosowanego w płytach CD-RW.

Zalety:

  • możliwość zapisu w jednej komórce więcej niż 1 bitu informacji
  • stosunkowo duża szybkość zapisu i odczytu – ok. 300 ns
  • stosunkowo duża trwałość – 1012 cykli
  • długi czas przechowywania informacji
  • stosunkowo prosta produkcja przy zastosowaniu istniejącego sprzętu
  • bezpośrednia zamienność z pamięciami typu Flash EEPROM

Wady:

  • na obecnym etapie wysoki koszt produkcji
  • wysokie temperatury występujące podczas zapisu mogą pogorszyć niezawodność w rzeczywistych układach
  • do zastosowań w miejsce obecnych pamięci RAM – ciągle zbyt mała prędkość zapisu i trwałość

Autorem koncepcji i prototypów pamięci PRAM jest firma Ovonyx, stąd pamięć określana jest również jako OUMOvonic Unified Memory. Obecnie rozwojem tego rodzaju pamięci zajmuje się firma Intel.