Germanowy tranzystor stopowy

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
Tranzystor z 1965 r.

Germanowy tranzystor stopowy to tranzystor stopowy wykonany z cienkiej płytki słabo domieszkowanego germanu będącego bazą z wtopionymi w temperaturze około 550 °C po przeciwnych stronach kulkami metalu. Wtopienie metalu zmienia typ półprzewodnika na przeciwny, tworząc obszary emitera i kolektora.

Typy[edytuj | edytuj kod]

Tranzystor typu p-n-p powstawał przez wtopienie kulek z indu z domieszką galu w płytkę półprzewodnika typu n.

Tranzystor typu n-p-n powstawał przez wtopienie kulek z ołowiu z domieszką antymonu w płytkę półprzewodnika typu p.

Parametry[edytuj | edytuj kod]

  • Moc: od kilkudziesięciu mW do kilkudziesięciu W
  • częstotliwość graniczna:
    • kilkanaście Mhz - tranzystory małej mocy
    • kilka Mhz - tranzystory dużej mocy.