Epitaksja: Różnice pomiędzy wersjami
| [wersja nieprzejrzana] | [wersja nieprzejrzana] |
linki |
mNie podano opisu zmian |
||
| Linia 1: | Linia 1: | ||
'''Epitaksja''' (gr. ''epi'' + ''taxia'' = położony na) |
'''Epitaksja''' (gr. ''epi'' + ''taxia'' = położony na) – technika [[półprzewodnik]]owa wzrostu nowych warstw [[monokryształ]]u na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej [[sieć krystaliczna|sieci krystalicznej]] podłoża. |
||
Opracował ją w [[1957]] roku N. N. Sheftal z zespołem. |
Opracował ją w [[1957]] roku N. N. Sheftal z zespołem. |
||
Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od [[ |
Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od [[domieszkowanie|domieszkowania]] podłoża. |
||
Odmianą epitaksji jest '''epitaksja z wiązki molekularnej''' - technika ta pozwala na nanoszenie warstw krystalicznych o grubości pojedynczej warstwy atomowej. Technika ta jest wykorzystywana w produkcji [[kropka kwantowa|kropek kwantowych]] oraz tzw. cienkich warstw. |
Odmianą epitaksji jest '''epitaksja z wiązki molekularnej''' - technika ta pozwala na nanoszenie warstw krystalicznych o grubości pojedynczej warstwy atomowej. Technika ta jest wykorzystywana w produkcji [[kropka kwantowa|kropek kwantowych]] oraz tzw. cienkich warstw. |
||
| Linia 7: | Linia 7: | ||
Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używane do rozpraszania [[mgła|mgły]] i wywoływania [[opad]]ów. |
Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używane do rozpraszania [[mgła|mgły]] i wywoływania [[opad]]ów. |
||
===Zobacz też=== |
|||
*[[Jan Czochralski]] |
|||
*[[metoda Czochralskiego]] |
|||
*[[półprzewodnik]] |
|||
[[Kategoria:Materiałoznawstwo]] |
[[Kategoria:Materiałoznawstwo]] |
||
Wersja z 17:42, 29 wrz 2006
Epitaksja (gr. epi + taxia = położony na) – technika półprzewodnikowa wzrostu nowych warstw monokryształu na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża. Opracował ją w 1957 roku N. N. Sheftal z zespołem. Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od domieszkowania podłoża.
Odmianą epitaksji jest epitaksja z wiązki molekularnej - technika ta pozwala na nanoszenie warstw krystalicznych o grubości pojedynczej warstwy atomowej. Technika ta jest wykorzystywana w produkcji kropek kwantowych oraz tzw. cienkich warstw.
Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używane do rozpraszania mgły i wywoływania opadów.