Dioda MPS

Budowa diody MPS

Dioda MPS (ang. merged PiN-Schottky diode) – dioda o scalonej strukturze złożonej z diody PiN oraz diody unipolarnej Schottky’ego. Taka budowa umożliwia zmniejszenie strat mocy przy procesach łączeniowych w wysokonapięciowych diodach prostowniczych bez wzrostu napięcia w stanie przewodzenia.

Dioda MPS charakteryzuje się niskim napięciem przebicia mimo istnienia w niej struktury Schottky’ego. Spolaryzowane w kierunku przewodzenia złącze p-n wstrzykuje dziury do obszaru unoszenia N. Prowadzi to do modulacji przewodności tego obszaru w sposób analogiczny jak w diodzie PiN, co ogromnie zmniejsza rezystancję, powodując przepływ prądu. Proces ten umożliwia przewodzenie dużych prądów przez obszar Schottky’ego przy niskim napięciu przewodzenia. Poziom wstrzykiwania niezbędny do zmniejszenia oporności w rejonie Schottky’ego nie jest tak wysoki jak w diodzie PiN. W rezultacie tego nagromadzony ładunek w diodzie MPS jest mniejszy niż w diodzie PIN, co powoduje, że dioda MPS ma bardzo krótkie czasy przełączania.

Bibliografia

• S. Januszewski, H. Świstak, K. Zymmer: Półprzewodnikowe przyrządy mocy. Właściwości i zastosowanie, WKiŁ 1999, ISBN 83-206-1317-5
• J. Dąbrowski: Pomiary i symulacje charakterystyk diod MPS mocy wykonanych z węglika krzemu, seminarium Katedry Elektroniki Morskiej, Gdynia 05.11.2008
• Nando Kaminski, Norbert Galster, Stefan Linder: 1200V Merged PIN Schottky Diode with Soft Recovery and Positive Temperature Coefficient PDF