Tranzystor MESA

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
Skocz do: nawigacji, wyszukiwania
Wnętrze tranzystora BF505.

Tranzystor dyfuzyjny MESA – rodzaj tranzystora bipolarnego wielkiej częstotliwości wytwarzanego metodą wielokrotnej dyfuzji. Obecnie ma już znaczenie wyłącznie historyczne.

Dyfuzję domieszek z fazy stałej i gazowej opracowano w Laboratoriach Bella odpowiednio w 1950 i 1954 roku[1]. Już w roku 1954 w tym samym laboratorium skonstruowano germanowy tranzystor, w którym zarówno bazę, jak i emiter wytworzono metodą dyfuzji. Pierwsze krzemowe tranzystory MESA wyprodukował Texas Instruments w roku 1957.

Wytwarzanie[edytuj | edytuj kod]

W tranzystorach MESA płytka półprzewodnika stanowi kolektor, a bazę wytwarza się wykorzystując dyfuzję domieszki. W tak wytworzonej bazie powtórnie przeprowadza się dyfuzję, wytwarzając złącze emitera. Następnie wytrawia się płytkę, pozostawiając jedynie centralną część tak wytworzonej struktury.

Właściwości i zastosowanie[edytuj | edytuj kod]

Ze względu na cienki obszar bazy i małą powierzchnię złącza kolektor-baza, tranzystory MESA charakteryzowały się dużą częstotliwością graniczną do kilkuset MHz. Stosowano je w licznych aplikacjach bardzo wielkiej częstotliwości, na przykład w głowicach UKF radioodbiorników i telewizorów. Wyszły z użycia latach 60 XX w. wyparte przez tranzystory planarne.

W Polsce przy końcu lat 60 XX w. uruchomiono w fabryce TEWA produkcję tranzystorów MESA germanowych typu AF514-AF516, krzemowych BF504-BF506 i przełączających krzemowych dużej mocy BUY52-BUY54. Zostały one wprowadzone do produkcji zbyt późno, gdy technologia była przestarzała (powszechnie stosowano już tranzystory epitaksjalno-planarne), i nie znalazły one zbyt szerokiego zastosowania.


Przypisy

  1. History of semiconductors diffusion engineering, B.Lojek, 10th IEEE International Conference of Advanced Thermal Processing of Semiconductors RTP 2002