Efekt piezorezystywny

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii

Efekt piezorezystywnyzjawisko fizyczne polegające na zmianie rezystancji elektrycznej materiału pod wpływem działającej siły (naprężeń). Efekt piezorezystywny różni się od efektu piezoelektrycznego tym, że występuje jedynie zmiana rezystancji, nie powstaje siła elektromotoryczna (SEM)[1].

Historia[edytuj | edytuj kod]

Zmiana rezystancji metalu pod wpływem przyłożonej do niego siły została odkryta w 1856 roku przez Lorda Kelvina. Właściwości piezorezystywne w półprzewodnikach (krzem i german) zostały odkryte w 1954 roku (Smith)[1].

Mechanizm[edytuj | edytuj kod]

Czułość przyrządów piezorezystywnych jest opisana współczynnikiem czułości materiałowej

gdzie to odkształcenie liniowe, czyli wydłużenie względne.

Efekt piezorezystywny w metalu występuje jedynie z powodu zmiany jego wymiarów geometrycznych pod wpływem przyłożonej siły mechanicznej, w związku z tym upraszcza się do wzoru

gdzie to współczynnik Poissona metalu.

Efekt piezorezystywny w półprzewodnikach może być nawet kilkukrotnie większy niż w metalach. Występuje w germanie oraz wielu odmianach krzemu: polikrystalicznym, amorficznym, w monokryształach krzemu oraz węgliku krzemu (SiC).

Przypisy[edytuj | edytuj kod]

  1. a b A. Alvin Barlian i inni, Review: Semiconductor Piezoresistance for Microsystems, „Proceedings of the IEEE”, 97 (3), 2009, DOI10.1109/JPROC.2009.2013612, PMID20198118 (ang.).