Wkład użytkownika Przemop100
Wygląd
Dla użytkownika Przemop100 dyskusja blokady przesłane pliki rejestry konto globalne rejestr nadużyć
Użytkownik(-czka) wykonał(a) 14 edycji. Konto utworzone 6 kwi 2022.
26 kwi 2022
- 11:3711:37, 26 kwi 2022 różn. hist. +1219 N Wikipedysta:Przemop100/brudnopis Nowa strona: Zastosowania Warstwy tlenków o wysokiej stałej dielektrycznej Technika ALD jest wykorzystywana do produkcji cienkich tlenkowych warstw dielektrycznych o wysokiej stałej dielektrycznej w tranzystorach. Wynika to z faktu, że dalsza redukcja grubości tradycyjnie używanego tlenku krzemu [] w procesie fabrykacji procesorów powoduje powstanie wysokiego prądu tunelowania, obniżającego jakość działania struktur logicznych. Głowice dysków magn… ostatnia Znacznik: VisualEditor
25 kwi 2022
- 12:04, 25 kwi 2022 (różn. | hist.) . . +202 . . N prośba o przejrzenie i akceptację artykułu na Pomoc:Pytania nowicjuszy
11 kwi 2022
- 17:1417:14, 11 kwi 2022 różn. hist. −34 m Osadzanie warstw atomowych usunięto szablon "dopracować" po dodani artykułu do odpowiedniej kategorii
- 17:1317:13, 11 kwi 2022 różn. hist. +38 Osadzanie warstw atomowych dodano artykuł do kategorii "Inżynieria Powierzchni" Znacznik: VisualEditor
10 kwi 2022
- 17:3517:35, 10 kwi 2022 różn. hist. +4286 N Osadzanie warstw atomowych pierwsza wersja artykułu o Atomic Layer Deposition (ALD) w wersji polskiej (Osadzanie Warstw Atomowych) Znacznik: Brak kategorii
- 17:3117:31, 10 kwi 2022 różn. hist. +9 Wikipedysta:Przemop100/Osadzanie warstw atomowych →Początki historyczne: dodany XX wiek w celu jednoznacznego wskazania daty historycznej ostatnia Znacznik: VisualEditor: przełączono
- 17:3017:30, 10 kwi 2022 różn. hist. +56 Wikipedysta:Przemop100/Osadzanie warstw atomowych zmienione formatowanie cytacji na prawidłowe Znacznik: VisualEditor: przełączono
- 17:2217:22, 10 kwi 2022 różn. hist. +228 Wikipedysta:Przemop100/Osadzanie warstw atomowych dodana sekcja "zobacz też" oraz link w sekcji "linki zewnętrzne"
- 17:1017:10, 10 kwi 2022 różn. hist. −1 m Wikipedysta:Przemop100/Osadzanie warstw atomowych dodany napis "w edycji"
- 17:0817:08, 10 kwi 2022 różn. hist. +604 Wikipedysta:Przemop100/Osadzanie warstw atomowych →Cechy
- 16:4716:47, 10 kwi 2022 różn. hist. +246 N Wikipedysta:Przemop100 dodałem krótki opis swoich zainteresowań ostatnia
- 16:4516:45, 10 kwi 2022 różn. hist. +2464 Wikipedysta:Przemop100/Osadzanie warstw atomowych →Opis zjawiska
- 14:1114:11, 10 kwi 2022 różn. hist. +941 N Wikipedysta:Przemop100/Osadzanie warstw atomowych Nowa strona: '''Osadzanie warstw atomowych''' (ang. Atomic Layer Deposition, ALD) - metoda chemiczna służąca do uzyskiwania cienkich warstw o grubościach atomowych. ALD jest zmodyfikowaną wersją techniki CVD, w której oba wprowadzane prekursory nie mają ze sobą kontaktu w fazie gazowej, a jedynie na osadzanej powierzchni. == Opis zjawiska == Układ eksperymentalny wykorzystywany w technice ALD j…