FRAM (typ pamięci)

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
Skocz do: nawigacja, szukaj

FRAM (FeRAM, Ferroelectric RAM) – typ pamięci nieulotnej opartej na nośniku krystalicznym – kryształach roztworu stałego cyrkonianu i tytanianu ołowiu (materiały typu perowskitu). Kryształy te zawierają wewnątrz siatki atomy o dwóch stabilnych pozycjach. Przyłożenie napięcia o odpowiedniej polaryzacji wymusza zmianę pozycji atomu. Odczyt polega na pomiarze pochłanianej energii po kolejnym przyłożeniu napięcia – wiąże się to z koniecznością regeneracji zapisu w komórce.

Pamięci FRAM umożliwiają adresowanie, zapisywanie i odczytywanie pojedynczych słów – w odróżnieniu od pamięci Flash modyfikacja zapisu nie wymaga uprzedniego kasowania całych bloków pamięci[1].

Zalety:

  • mały pobór energii
  • bardzo duża trwałość (1012–1015 cykli zapisu[2])
  • bardzo duża szybkość zapisu (rzędu nanosekund)
  • stabilność w czasie (∼40 lat w temperaturze 75 °C, ~150 lat w temperaturze 65 °C)

Wady:

  • duży rozmiar komórki
  • kłopotliwe odświeżanie
  • mała kompatybilność z technologią CMOS
  • cena

Pionierami tego typu pamięci były współpracujące ze sobą firmy Texas Instruments i Ramtron International.

W roku 2013 liderami w produkcji pamięci FRAM są firmy Ramtron, Fujitsu i Lapis. Pojemność pamięci sięga 2 Mb (np. MB85RS2MT firmy Fujitsu Semiconductor)[1]. Dostępne są pamięci z interfejsem szeregowym SPI (do 40 MHz), I²C (do 3 MHz) oraz równoległym (dostęp od 20 ns).

Zobacz też[edytuj | edytuj kod]

Przypisy

  1. 1,0 1,1 Chris Sulivan. Przegląd oferty producentów pamięci nieulotnych FRAM. „Elektonika Praktyczna”. 9/2013, s. 71, AVt-Korporacja sp. zoo. ISSN 1230-3526. 
  2. Strona Texas Instruments.

Linki zewnętrzne[edytuj | edytuj kod]