FRAM (typ pamięci)
Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
 |
Ten artykuł od 2010-03 wymaga uzupełnienia źródeł podanych informacji. Informacje nieweryfikowalne mogą zostać zakwestionowane i usunięte. Aby uczynić artykuł weryfikowalnym, należy podać przypisy do materiałów opublikowanych w wiarygodnych źródłach. |
FRAM (FeRAM, Ferroelectric RAM) – typ pamięci nieulotnej opartej na nośniku krystalicznym – kryształach roztworu stałego cyrkonianu i tytanianu ołowiu (materiały typu perowskitu). Kryształy te zawierają wewnątrz siatki atomy o dwóch stabilnych pozycjach. Przyłożenie napięcia o odpowiedniej polaryzacji wymusza zmianę pozycji atomu. Odczyt polega na pomiarze pochłanianej energii po kolejnym przyłożeniu napięcia – wiąże się to z koniecznością regeneracji zapisu w komórce.
Zalety:
- mały pobór energii
- bardzo duża trwałość (co najmniej 10 000 000 000 cykli)
- bardzo duża szybkość zapisu (rzędu nanosekund)
Wady:
- duży rozmiar komórki
- kłopotliwe odświeżanie
- mała kompatybilność z technologią CMOS
Pionierami tego typu pamięci były współpracujące ze sobą firmy Texas Instruments i Ramtron International.
