Nadzwyczajna magnetorezystancja
Nadzwyczajna magnetorezystancja (ang. extraordinary magnetoresistance, EMR) – jest magnetorezystancją geometryczną, której efekt został odkryty w 2000 roku. Podczas zastosowania dużego pola magnetycznego zmiana rezystancji może być większa niż 1,000,000% w temperaturze pokojowej (są to rzędy wielkości, większe niż te, które mają miejsce przy efektach takich jak GMR czy CMR)[1]. Efekt ma miejsce przy zastosowaniu systemów hybrydowych metali i półprzewodników. Bez pola magnetycznego system jest w stanie niskiej rezystancji, dla którego większość prądu elektrycznego przepływa przez sferę metalu. Podczas aplikowania dużego pola magnetycznego przyłożonego poprzecznie do kierunku przepływu prądu, system zmienia stan na ten o dużo większej rezystancji elektrycznej. Z powodu mechanizmu zjawiska Halla, gdy kąt nachylenia zbliża się do 90°, przepływ prądu elektrycznego w regionach metalicznych drastycznie maleje. Na efekt w dużym stopniu wpływa geometria systemu, potęgując efekt o nawet cztery rzędy wielkości[2]. Jako że efekt EMR ma miejsce w temperaturze pokojowej i nie polega na materiałach magnetycznych ma wiele korzyści w aspekcie jego aplikacji, wliczając w to głowice odczytu dysków twardych[3].
Przypisy[edytuj | edytuj kod]
- ↑ Solin, S. A.; Thio, Tineke; Hines, D. R.; Heremans, J. J. (September 2000), „Enhanced Room-Temperature Geometric Magnetoresistance In Inhomogeneous Narrow-Gap Semiconductors” (PDF), Science, 289 (5484): 1530–2, http://www.ruf.rice.edu/~rau/phys600/ERM21.pdf.
- ↑ T. H. Hewett and F. V. Kusmartsev, Geometrically enhanced extraordinary magnetoresistance in semiconductor–metal hybrids, Physical Review B, 82, 212404, (2010).
- ↑ S. A. Solin, Magnetic Field Nanosensors, Scientific American, 291, 45 (July 2004).