Azotek krzemu
| |||||||||||||||
| Ogólne informacje | |||||||||||||||
| Charakterystyka fizyczna | |||||||||||||||
| szary bezwonny proszek | |||||||||||||||
| Wzór chemiczny |
Si3N4 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| • zapis Hilla |
N4Si3 | ||||||||||||||
| Masa molowa |
140,28 g/mol | ||||||||||||||
| Identyfikacja | |||||||||||||||
| Numer CAS | |||||||||||||||
| PubChem | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Podobne związki | |||||||||||||||
| Podobne związki | |||||||||||||||
| Jeżeli nie podano inaczej, dane dotyczą stanu standardowego (25 °C, 1000 hPa) | |||||||||||||||
Azotek krzemu (Si3N4) – nieorganiczny związek chemiczny, azotek pierwiastka krzemu na IV stopniu utlenienia.
Właściwości
[edytuj | edytuj kod]Azotek krzemu ma stosunkowo niską gęstość, bardzo dużą odporność termiczną i chemiczną oraz twardość.
Zastosowania
[edytuj | edytuj kod]Elektronika
[edytuj | edytuj kod]Azotek krzemu jest wykorzystywany jako izolator i bariera chemiczna – przewyższa on w tym zastosowaniu SiO2. Stanowi dobrą barierę dla czynników, przed którymi nie chroni SiO2, na przykład jonów Na+ i H+ (mających szkodliwy wpływ na stabilność przyrządów półprzewodnikowych). Niektóre aplikacje wykorzystują azotek krzemu jako warstwę pułapkowania ładunku do przechowywania elektronów[3].
Najczęściej wytwarza się warstwę Si3N4 metodami chemicznymi: przez rozpylanie katodowe lub osadzanie z fazy lotnej. Do wad należą: trudności związane z obróbką fotochemiczną tych warstw i gorsze właściwości elektrofizyczne obszaru granicznego −Si niż SiO2.
Ceramika
[edytuj | edytuj kod]Łożyska z ceramiki Si3N4 są stosowane w dyskach twardych.
Azotek krzemu jest składnikiem sialonu.
Przypisy
[edytuj | edytuj kod]- ↑ Silicon nitride (nr 334103) – karta charakterystyki produktu Sigma-Aldrich (Merck) na obszar Polski.
- ↑ Azotek krzemu [PDF], karta charakterystyki produktu Sigma-Aldrich, Merck, numer katalogowy: 334103.
- ↑ Karthik Sridhara, Łukasz Borowik, Denis Mariolle, Nicolas Chevalier, Jean-Philippe Colonna, Environment and baking influence on charge retention on silicon nitride charge trap layers, „Journal of Applied Physics”, 111 (2), 2012, DOI: 10.1063/1.3678455 (ang.).
Bibliografia
[edytuj | edytuj kod]- Wiesław Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, Warszawa: WNT, 1987, s. 71, ISBN 83-204-0925-X, OCLC 749876743.