Memrystor

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
Skocz do: nawigacja, szukaj
Memrystor
Typ bierny
Zasada działania memrystancja
Wynalazca Leon Chua
Rok wynalezienia 1971
Wprowadzenie na rynek HP Labs, 2008
Symbol
Memristor-Symbol.svg
Proponowany (nieoficjalny) symbol memrystora.

Memrystor (ang. memristor) – jeden z podstawowych biernych elementów elektronicznych[1]; trzy pozostałe to opornik (rezystor), kondensator i cewka. Memrystor (ang. memory resistor – opornik z pamięcią) działa jako pojedyncza komórka pamięci, może być użyty do przechowywania jednego bitu informacji, rezystancja memrystora może być sterowana prądowo[2]. Memrystory mogą być używane do budowy tranzystorów o znacznie mniejszych wymiarach niż na to pozwalały wcześniejsze technologie, a także do konstrukcji pamięci trwałych o znacznie większej gęstości zapisu danych niż tradycyjne dyski twarde, ale o szybkości pracy zbliżonej do pamięci DRAM.

Właściwości fizyczne[edytuj]

Ilustracja koncepcji memrystora jako elementu elektronicznego
(opisy: Ladning Q – Ładunek Q, Strom I – Prąd I, Spenning U – Napięcie U, Fluks Ø – Strumień magnetyczny Ψ).
Budowa pojedynczej komórki memrystora z domieszką dwutlenku tytanu. U góry: mała przewodność elektryczna; na dole: duża przewodność elektryczna.
Krzywa histerezy memrystora w funkcji częstotliwości kątowej.

Memrystor jest elementem, w którym strumień magnetyczny skojarzony jest funkcją przepływającego przezeń ładunku elektrycznego , tj. w którym . Zależność strumienia od ładunku

nazwano „memrystancją”[3], przez analogię m.in. do rezystancji.

Memrystancja jest dopełniającą zależnością między dwiema z czterech podstawowych wartości opisujących obwód elektryczny: natężeniem prądu , napięciem elektrycznym , ładunkiem elektrycznym i strumieniem magnetycznym skojarzonym . Pozostałe pięć z sześciu możliwych kombinacji to:

oraz parametry pozostałych trzech podstawowych elementów biernych w elektronice:

rezystancją rezystora
indukcyjnością cewki
pojemnością kondensatora

Napięcie na memrystorze związane jest z przepływającym prądem poprzez chwilową wartość jego memrystancji:

,

gdzie oznacza czas.

Przypisy

  1. Zbudują fabrykę memrystorów | KopalniaWiedzy.pl
  2. Dimitri B. Strukov, Gregory S. Snider, Duncan R. Stewart, R Stanley Williams. The missing memristor found. „Nature”. 453, s. 80 – 83, 2008. DOI: 10.1038/nature06932. 
  3. kalka z języka angielskiego (memristance), nie ma jeszcze polskiego odpowiednika

Linki zewnętrzne[edytuj]