Tranzystor mesa

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
Przejdź do nawigacji Przejdź do wyszukiwania
Wnętrze tranzystora BF505

Tranzystor mesabipolarny tranzystor wielkiej częstotliwości wytwarzany metodą wielokrotnej dyfuzji. Obecnie ma już znaczenie wyłącznie historyczne. Nazwa tranzystora pochodzi od hiszpańskiego słowa mesa (stół)[1].

Dyfuzję domieszek z fazy stałej i gazowej opracowano w Laboratoriach Bella, odpowiednio w 1950 i 1954 roku[2]. Już w roku 1954 w tej samej firmie skonstruowano tranzystor germanowy, w którym zarówno bazę, jak i emiter wytworzono metodą dyfuzji. Pierwsze krzemowe tranzystory mesa wyprodukował Texas Instruments w roku 1957.

Wytwarzanie[edytuj | edytuj kod]

W tranzystorach mesa płytka półprzewodnika stanowi kolektor, a bazę wytwarza się, wykorzystując dyfuzję domieszki. W tak wytworzonej bazie powtórnie przeprowadza się dyfuzję, wytwarzając złącze emitera. Następnie wytrawia się płytkę, pozostawiając jedynie centralną część tak wytworzonej struktury.

Właściwości i zastosowanie[edytuj | edytuj kod]

Ze względu na cienki obszar bazy i małą powierzchnię złącza kolektor–baza tranzystory mesa charakteryzowały się dużą częstotliwością graniczną, do kilkuset megaherców. Stosowano je w licznych urządzeniach bardzo wielkiej częstotliwości, na przykład w głowicach UKF radioodbiorników i telewizorów. Wyszły z użycia latach 60. XX wieku, wyparte przez tranzystory planarne.

W Polsce pod koniec lat 60. XX wieku uruchomiono w fabryce Tewa produkcję tranzystorów mesa germanowych typu AF514-AF516, krzemowych BF504-BF506 i przełączających krzemowych dużej mocy BUY52-BUY54. Zostały one wprowadzone do produkcji zbyt późno, gdy technologia była przestarzała (powszechnie stosowano już tranzystory epitaksjalno-planarne), i nie znalazły one szerokiego zastosowania.

Przypisy[edytuj | edytuj kod]

  1. Evolution of the Transistor. Public Broadcasting Service (PBS)/ScienCentral, Inc/The American Institute of Physics, 1999. [dostęp 2017-05-15].
  2. B. Lojek, History of semiconductors diffusion engineering, 10th IEEE International Conference of Advanced Thermal Processing of Semiconductors RTP 2002