Ruchliwość
Ruchliwość nośników - w fizyce oraz chemii, wielkość wyrażająca związek między prędkością dryfu elektronów, jonów lub innych nośników ładunku, i zewnętrznym polem elektrycznym. Ruchliwością nazywa się czasem również sam proces ruchu skierowanego (dryfowania) nośników ładunku pod wpływem pola elektrycznego.
W przypadku ciał stałych ruchliwość elektronów oraz dziur (ruchliwość nośników ładunku) zależy od temperatury.
Spis treści |
Definicja i jednostka [edytuj]
Ruchliwość definiowana jest jako prędkość dryfu nadawana przez jednostkowe pole elektryczne:
gdzie μ jest ruchliwością.
Najczęściej wyraża się ją w m2/Vs.
Relacja Einsteina [edytuj]
Wzór Einsteina wyraża związek między ruchliwością, a współczynnikiem dyfuzji:
gdzie: D - współczynnik dyfuzji, T - temperatura nośników ładunku, k - stała Boltzmanna, q - ładunek elektryczny
Ruchliwość elektronów w gazie [edytuj]
W zmiennym polu elektrycznym skierowana prędkość elektronów nie musi zgadzać się w fazie z natężeniem pola. Tym samym przewodność elektryczna jest wielkością zespoloną. W słabo zjonizowanym gazie ruchliwość opisuje związek Langevina:
gdzie: m - masa elektronu, ω - częstość kołowa pola elektrycznego, v - częstotliwość zderzeń elektronów z cząsteczkami
W stałym polu elektrycznym ruchliwość wynosi:
gdzie λ - średnia droga swobodna elektronu, v - średnia prędkość ruchu cieplnego elektronów, a1 - współczynnik liczbowy rzędu 0,5-1
Elektrony posiadają znacznie mniejszą masę niż cząsteczki, dlatego podczas zderzeń sprężystych z nimi tracą bardzo małą część energii kinetycznej. W wyniku tego nawet w słabych polach ich energia średnia przewyższa energię cząsteczek obojętnych i rośnie w miarę wzrostu natężenia pola. Przy założeniu, że zderzenia mają charakter sprężysty, otrzymano wzór Dawydowa:
gdzie: M - masa cząsteczki, T - temperatura gazu
Ruchliwość jonów w gazie [edytuj]
W teorii Langevina atomy i jony są traktowane jako kule sztywne, odpychające się przy bezpośrednim zbliżeniu, a poza tym przyciągają się wzajemnie siłami polaryzacyjnymi. Wzór Langevina:

gdzie: ε - przenikalność dielektryczna gazu, Mj - masa jonu, M - masa atomu, ρ - gęstość gazu, g - parametr wyrażający względny udział w mechanizmie ruchliwości zderzeń bezpośrednich w stosunku do sił polaryzacji
Jeśli w gazie są tylko jony powstałe w wyniku jonizacji cząsteczek tego samego gazu, to ich ruchliwość związana jest przede wszystkim z procesem wymiany ładunku jonów.
Ruchliwość nośników w półprzewodniku [edytuj]
Ruchliwość nośników zależy od koncentracji domieszek. W półprzewodnikach do wartości koncentracji domieszek rzędu 1015 cm-3 ruchliwość nośników jest praktycznie stała, a powyżej tej wartości zaczyna maleć.
Ruchliwość zależy także od temperatury. W zakresie temperatur dominuje rozpraszanie nośników na atomach sieci (ruchliwość sieciowa). W takim przypadku ruchliwość maleje przy wzroście temperatury zgodnie z zależnością:
gdzie: B - jest stałą niezależną od temperatury.
Zobacz też [edytuj]
Bibliografia [edytuj]
- Encyklopedia fizyki; Państwowe Wydawnictwo Naukowe; Warszawa 1974.
- Witold Jerzy. Stepowicz: Elementy półprzewodnikowe i układy scalone. Gdańsk: Wydawnictwo Politechniki Gdańskiej, 1993. ISBN 83-86537-14-0.




![\mu = 0,75 e \lambda (m k T)^{- \frac 1 2} \{1+ [1 + \frac 1 3 (\frac {e E \lambda} {kT}) \frac M m ]^{\frac 1 2}\}^{\frac 1 3}](http://upload.wikimedia.org/math/6/5/3/653a144d6a9e415056de9f8ee8efdc66.png)
