Żores Ałfiorow

Z Wikipedii, wolnej encyklopedii
Skocz do: nawigacja, szukaj
Żores Iwanowicz Ałfiorow
Żores Iwanowicz Ałfiorow
Data i miejsce urodzenia 1930-03-1515 marca 1930
Witebsk
Profesor,
Laureat Nagrody Nobla (2000 - fizyka)
Specjalność: fizyka, półprzewodniki
Doktorat 1970
Polska Akademia Nauk
Status członek zagraniczny
Rosyjska Akademia Nauk
Status członek rzeczywisty
Instytut Fizyki i Techniki (Petersburg)
Dyrektor
Okres spraw. 1987–2003
Odznaczenia
Order „Za Zasługi dla Ojczyzny” I klasy Order „Za Zasługi dla Ojczyzny” II klasy Order „Za Zasługi dla Ojczyzny” III klasy Order „Za Zasługi dla Ojczyzny” IV klasy Order Czerwonego Sztandaru Pracy
Order Lenina Order Rewolucji Październikowej Order Znak Honoru
Commons Multimedia w Wikimedia Commons

Żores Iwanowicz Ałfiorow, ros. Жорес Иванович Алфёров (ur. 15 marca 1930 w Witebsku) – rosyjski fizyk, laureat Nagrody Nobla (2000), Rosyjskiej Akademii Nauk (w 1991 – wiceprzewodniczący), od roku 1990 – członek National Academy of Sciences, członek zagraniczny PAN.

Jego ojciec był Białorusinem, a matka Żydówką. Studiował na wydziale elektroniki Instytutu Elektrotechnicznego im. Lenina w Leningradzie, od roku 1953 wieloletni pracownik (od 1987 – dyrektor) Instytutu Fizyki i Techniki w Leningradzie (obecnie Petersburgu). W roku 1970 uzyskał stopnień doktora nauk technicznych i matematycznych; w roku 1991 został wiceprzewodniczącym Rosyjskiej Akademii Nauk (1972 członek-korespondent, 1979 członek rzeczywisty); przewodniczący Naukowego Centrum Rosyjskiej Akademii Nauk w Petersburgu. Od roku 1988 jest członkiem zagranicznym PAN[1], a od roku 1990 – członkiem National Academy of Sciences w Waszyngtonie; od 1995 zasiada w Dumie z ramienia partii komunistycznej[2].

Prowadził prace nad heterostrukturami półprzewodnikowymi (strukturami wielowarstwowymi otrzymywanymi metodą kontrolowanego wzrostu monokrystalicznych warstw różnych pod względem chemicznym półprzewodników i metali, nakładanych kolejno na siebie), użyciem heterostruktur do budowy laserów półprzewodnikowych stosowanych w łączach światłowodowych, odtwarzaczach płyt kompaktowych[2].

Jest autorem 4 książek, 400 artykułów naukowych i 50 wynalazków w dziedzinie technologii półprzewodników[3].

W roku 2000 otrzymał Nagrodę Nobla (wspólnie z Herbertem Kroemerem, niezależnie od Jacka Kilby'ego) za „rozwinięcie technologii heterostruktur półprzewodnikowych, wykorzystywanych w technice bardzo wielkiej częstotliwości i optoelektronice”. Jest również laureatem licznych innych nagród[3], m.in. Nagrody Leninowskiej (1972), Nagrody Państwowej ZSRR (1984), Nagrody Rosyjskiej Akademii Nauk im. Joffego (1996), Nagrody Kyoto (2001)[2][3].

Został odznaczony m.in. Orderem Zasług dla Ojczyzny I, II, III i IV klasy, Orderem Lenina, Orderem Rewolucji Październikowej, Orderem Czerwonego Sztandaru Pracy i Orderem „Znak Honoru”.

Przypisy

  1. ↑ Członkowie zagraniczni PAN (pol.). W: PAN, Wydział III, Instytucja Naukowa [on-line]. [dostęp 2014-01-23].
  2. ↑ a b c Zhores I. Alferov - Facts (ang.). W: The Nobel Prize in Physics 2000 > Zhores I. Alferov, Herbert Kroemer, Jack S. Kilby [on-line]. Nobel Media AB. [dostęp 2014-01-23]., autobiografia, Nobel Lecture Double Heterostructure Concept and its Applications in Physics, Electronics and Technology
  3. ↑ a b c Zhores I. Alferov (ang.). W: Biogram [on-line]. Ioffe Institute. [dostęp 2014-01-23].

Linki zewnętrzne[edytuj]

Źródło: „https://pl.wikipedia.org/w/index.php?title=Żores_Ałfiorow&oldid=48413731”